Linh kiện và module silic cacbua

Document


Giới thiệu sản phẩm

SiC MOSFET

Trong quá trình phát triển và ứng dụng của MOSFET SiCty le keo, so với MOSFET Si ở cùng cấp độ công suất, điện trở dẫn và tổn hao chuyển mạch của MOSFET SiC đã giảm đáng kể. Điều này giúp chúng hoạt động ở tần số cao hơn, đồng thời nhờ vào khả năng làm việc ở nhiệt độ cao, chúng mang lại độ ổn định nhiệt tốt hơn rất nhiều.

Điốt silicon carbide

Không có điện tích phục hồi ngượcty le keo, do đó tổn hao chuyển mạch gần như bằng không. Nhiệt độ làm việc tối đa (Tjmax=175℃) cho phép thiết bị hoạt động ổn định trong môi trường có nhiệt độ cao, và đặc tính chuyển mạch hầu như không thay đổi theo sự biến thiên nhiệt độ. Tính chất vật liệu giúp dễ dàng đạt được điện áp đánh thủng cao hơn, từ đó nâng cao hiệu suất hệ thống và mật độ công suất, đồng thời tăng cường độ tin cậy của hệ thống.

Mô-đun công suất silicon carbide

MOSFET SiC sở hữu độ tin cậy cao trong lớp oxit cổngty le keo, đặc tính chuyển mạch xuất sắc và tổn hao dẫn thấp. Chúng hỗ trợ nhiệt độ làm việc và tần số chuyển mạch cao hơn, nhờ đó cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống. Thiết bị tiết kiệm không gian, giảm trọng lượng, giảm số lượng linh kiện, từ đó nâng cao độ tin cậy của hệ thống. Dòng sản phẩm công suất có nhiều cấu hình khác nhau như bán cầu, sixpack... phù hợp với nhiều ứng dụng thiết kế khác nhau.


Các lĩnh vực ứng dụng silicon carbide

Ứng dụng bộ nguồn LED
Ứng dụng PFC điều hòa không khí
Ứng dụng nguồn máy chủbóng đá việt nam, nguồn viễn thông, nguồn PC
Ứng dụng MPPT năng lượng mặt trời
Ứng dụng liên quan đến xe điện
Ứng dụng trạm sạc xe điện
SiC applications – 3.3KW/6.6KW OBC
SiC applications – 11KW/22KW OBC
Bộ nghịch lưu xe điện
Trong tương laity le keo, xe điện sẽ cần ngày càng nhiều các bán dẫn dải cấm rộng như silicon carbide (SiC), và xe điện chính là động lực tăng trưởng quan trọng nhất cho thị trường SiC.



Danh sách sản phẩm

Part No. Package Vds_
max (V)
Rds(on)(mΩ)_25°C Vth_
typ.(V)
Vgs_
max.(V)
Qg_
Vgs=10V
(nC)
Qgd
(nC)
IDS_
Max(A)
Status
Vg=10V
Max
SCHA2N030JN-AA TO247-4 1200 42 2.6 -8/+22 150 53.6 63 Developing
SCHA2N040JN-AA TO247-4 1200 56 3 -8/+22 62 14 57 Sample available
SCAA2N011JN-AA TO247-4 1200 21 2.6 -8/+19


Developing
SCHA7N1K0WN-AA TO247-3 1700 1400 2.8 -8/+19 7.4 2.5 5 Developing
SCHA7N3K0WN-AA TO247-3 1700 1600 2.8 -8/+19 3 1 2 Developing
SCH65N027QN-AA TOLL2-8 650 38(Vg=18V) 2.8 -10/+22 91 21 84 Developing
SCH65N040QN-AA TOLL2-8 650 56(Vg=18V) 2.8 -10/+22 65 19 52 Developing
SCH65N045QN-AA TOLL2-8 650 63(Vg=18V) 2.8 -10/+22 56 15 50 Developing
SCH65N060QN-AA TOLL2-8 650 80(Vg=18V) 2.8 -10/+22 38 9 41 Developing