Công nghệ MOSFET siêu kết hợp được cải tiến thông qua thiết kế cấu trúc linh kiện tinh vi và ứng dụng công nghệ sản xuất tiên tiếnbóng đá việt nam, giúp nâng cao hiệu suất của sản phẩm. Thiết bị này sở hữu tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, tổn hao dẫn thấp hơn, điện tích cổng cực kỳ nhỏ, từ đó giảm thiểu tổn hao công suất và tăng hiệu quả hệ thống một cách đáng kể.

Dòng sản phẩm MOSFET rãnh có lớp chắn điện tích được thiết kế với khả năng cân bằng điện tíchbóng đá việt nam, mang đến hiệu suất chuyển mạch và dẫn điện vượt trội. Đồng thời, nó còn làm giảm đáng kể điện trở dẫn đặc trưng và điện tích cổng của linh kiện, giúp tối ưu hóa hiệu năng tổng thể.

Trong lĩnh vực phát triển và ứng dụng MOSFET SiCKèo cái, so với MOSFET Si cùng cấp công suất, MOSFET SiC có điện trở dẫn và tổn hao chuyển mạch giảm mạnh, phù hợp hoạt động ở tần số cao hơn. Ngoài ra, nhờ vào khả năng làm việc ở nhiệt độ cao, thiết bị này giúp cải thiện đáng kể độ ổn định trong môi trường nhiệt độ khắc nghiệt.

Bộ sạc chuyển mạch (Switching Charger): Phù hợp cho việc sạc pin lithium trong các ứng dụng truyền thông di độngbóng đá việt nam, hỗ trợ nhiều cấu trúc pin từ 1 cell đến 4 cell. Bộ sạc tụ điện (Switched Capacitor Charger): Bộ chuyển đổi DC-DC hiệu quả cao, thích hợp cho sạc nhanh thiết bị di động, giúp giảm hiện tượng nóng trong quá trình sạc và rút ngắn thời gian sạc. Bộ đo mức pin (Fuel Gauge): Dựa trên các yếu tố như sự suy giảm của pin, nhiệt độ xung quanh, tốc độ phóng điện... để đo lường và theo dõi chính xác dung lượng pin, cung cấp thông tin chính xác về dung lượng và thời gian phóng điện của pin trong nhiều điều kiện khác nhau.